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PHKD6N02LT,518

  • 廠家：NXP Semiconductors
  • 封裝：8-SO
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：2.355
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 類型

    2 個 N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    10.9A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    20 毫歐 @ 3A，5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    15.3nC @ 5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    950pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    4.17W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1

  • 產(chǎn)品描述備注

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